SemiHow是以拥有Samsung半导体10年以上功率分立器件设计技术, Fab 工艺技术, Fab 生产技术的优秀技术人员为核心建立于 2002年的功率分立器件专业公司.

2004年为生产 Planar MOSFET Foundry 与 CM Micro(China Resources Microelectronics Limited) 签订了”技术支援及 Foundry 合约” 后搭建了 Planar MOSFET 工艺平台并于 2005年开始开发并量产了 High Voltage Planar MOSFET产品.
SemiHow是东南亚首家成功开发并推出可与原有 Global 先进公司产品竞争的 High Voltage MOSFET 产品的创业公司.

以后直至2017年通过与中国的 FMIC, HHGrace 等 Foundry公司 的战略合作陆续开发并上市 LV Trench MOSFET, SCR, Triac, SGT MOSFET, SJ MOSFET 等产品.

并在手机充电器,适配器, LED照明, 家电电源, PC 电源等消费应用市场以及 EV 充电器, 网络产品,服务器等工业应用市场作为国际技术水准的专业功率分立器件公司得到了充分认可.

2018年, 和为发展韩国国内半导体而大规模投资中的 Samsung Foundry达成了 Power Discrete 开发及 Foundry 量产的战略合作, 2019年 搭建第一批开发产品系列 SJ(Super Junction)MOSFET 产品的工艺平台并成功推出 70多种(600V~900V)产品.

随后，我们将继续开发FS(Field Stop) IGBT、SGT MOSFET和Gen2 SJ MOSFET。我们已经在2023年第4季度推出了FS IGBT和SGT MOSFET产品，并计划在2024年第1季度推出Gen2 SJ MOSFET和第2季度推出IGBT功率模块产品

2020年开始 SemiHow Power Discrete 产品的 80%以上在 Samsung Foundry进行生产. SemiHow的 20年的技术竞争力及 Know-How与 Samsung Foundry的4大核心竞争力(Fab Capacity, Quality, Delivery, Cost)的协同效应可以满足任何顾客的要求.