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종래 대비 Rsp 40% 감소된 New generation SJ-MOSFET 개발 및 종래 대비 Eoff Loss 20% 개선된 650V/1200V IGBT, 30V SGT를 2024년 하반기 개발 진행하는 것으로 확정 됨.

본 제품들은 2025년 1Q 개발 완료를 목표로 추진중에 있으며, 이를 통하여 보다 다양한 Application 시장 진입이 가능 할 것으로 보이며,

새로운 Cash Cow 제품군의 확보가 가능할 것으로 기대 됨.